俄科學家發現改進磁傳感器方法
時間：2018-03-15 來源：科技部
俄羅斯科學院發布消息稱，其西伯利亞分院克拉斯諾亞爾斯克科學中心（聯邦研究中心）基連斯基物理研究所的科學家首次發現，由金屬（鐵磁體）、氧化物和硅襯底（半導體）組成的混合結構具有高磁阻值，該結構的電阻可隨光學效應發生改變，并可通過磁場來控制電壓。該效應的本質是混合結構中的電子在移動時，對磁場更為敏感。利用這一特性，可制造具有特定磁導率的材料，研制出由磁場控制的電子設備，并擴展現有磁傳感器性能。
此外，據研究專家介紹，這種基于半導體形成的混合結構與現代電子產品的工藝基礎——CMOS技術（互補金屬氧化物半導體）完全兼容。目前，俄科學家正在繼續研究混合結構以及其它成分和組態的導電性。
