韓國發明三進位制超節能半導體元件和電路技術
時間：2017-12-14 來源：科技部
韓國研究財團發布消息稱，成均館大學研究組發明了可以體現三進位制新概念的超節能半導體元件和電路技術。該技術突破了目前二進位制數字信號傳送的計算機處理技術界限。該技術與目前不同材料垂直結合方式、電流特性和電路方式完全不同，是一項獨創的研究成果，為半導體元件與電路的研究開辟了新的方向，具有重要意義。
研究組通過表面無缺陷的黑磷和二硫化錸的垂直結合，開發出具有電壓增大、電流就減少特性的新型半導體元件。該技術設計獨特，為研發超節電元件和超節電三進位制的轉換電路奠定了基礎。
該項成果獲得韓國2017年“科學技術人獎”。
